Новый материал позволяет создавать элементы как минимум в три раза меньшего размера, чем кремниевые. Энергоэффективность увеличивается в сотни раз. При этом устройства остаются совместимыми с традиционными вычислительными системами, передают Известия.
Старший научный сотрудник Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ Илья Завидовский пояснил, что дисульфид молибдена позволяет преодолеть ограничения кремния на толщину — примерно с 2 нанометров до 0,65 нанометра. Выигрыш в энергоэффективности может быть в сотни раз, что позволит снизить нежелательный нагрев устройств на порядки.
Почему кремний исчерпал себя
Сегодня кремниевые полупроводники достигли предела из-за квантово-механических эффектов, увеличения токов утечки и тепловыделения. Наращивать производительность прежними методами становится невозможно.
По всему миру ведущие научные группы ищут выход из этой проблемы. Одним из наиболее перспективных направлений считаются двумерные материалы. Лабораторные исследования активно ведутся в США и Европе, а Китай уже в начале 2026 года анонсировал запуск пилотной линии по выпуску молибденовых процессоров.
Российские учёные разработали технологию производства транзисторов из дисульфида молибдена, которая может заменить кремний в микроэлектронике. Это позволит создавать втрое меньшие элементы с энергоэффективностью выше в сотни раз. Разработка совместима с существующими производственными мощностями и открывает путь к созданию сверхкомпактных и менее нагревающихся чипов. В мире ведутся аналогичные исследования, а Китай уже запускает пилотную линию.
Андрей Лапин, ТКС.РУ
Общение: 